[发明专利]一种精确调控非易失性存储单元状态的方法及系统

摘要

本发明公开了一种精确调控非易失性存储单元状态的方法及系统，属于半导体存储技术领域，包括：(1)根据目标数据状态确定目标阈值电压范围[Vmin,Vmax]；(2)读取存储单元的阈值电压Vread，若Vread∈[Vmin,Vmax]，则状态调控成功，操作结束；若Vread＞Vmax，则转入步骤(3)；若Vread＜Vmin，则转入步骤(5)；(3)对存储单元执行擦除操作，并转入步骤(4)；(4)读取存储单元的阈值电压Vread2，若Vread2＞Vmin，则状态调控失败，操作结束；否则，转入步骤(2)；(5)对存储单元施加编程脉冲，并通过逐步增加宽度和幅值的方式调整编程脉冲，直至存储单元的阈值电压大于或等于目标阈值电压范围的下界Vmin，然后转入步骤(2)。本发明能够实现对非易失性存储单元状态的精确调控。

主权项

1.一种精确调控非易失性存储单元状态的方法，其特征在于，包括：(1)根据目标数据状态确定目标阈值电压范围[V_min,V_max]，以使得存储单元的阈值电压位于所述目标阈值电压范围时，所述存储单元处于所述目标数据状态；(2)读取存储单元的阈值电压V_read，并判断所述阈值电压V_read的范围，若V_read∈[V_min,V_max]，则状态调控成功，操作结束；若V_read＞V_max，则转入步骤(3)；若V_read＜V_min，则转入步骤(5)；(3)对所述存储单元执行擦除操作，并转入步骤(4)；(4)读取所述存储单元的阈值电压V_read2，若V_read2＞V_min，则状态调控失败，操作结束；否则，转入步骤(2)；(5)对所述存储单元施加编程脉冲，并通过逐步增加宽度和幅值的方式调整所述编程脉冲，直至所述存储单元的阈值电压大于或等于所述目标阈值电压范围的下界V_min，然后转入步骤(2)；其中，V_min＜V_max。