[发明专利]基于包层涂覆敏感膜的迈克尔逊干涉式硫化氢传感器有效

专利信息
申请号: 201910302334.7 申请日: 2019-04-16
公开(公告)号: CN109991192B 公开(公告)日: 2021-07-27
发明(设计)人: 冯文林;罗太明;杨晓占;余佳浩;刘绍殿 申请(专利权)人: 重庆理工大学
主分类号: G01N21/45 分类号: G01N21/45
代理公司: 重庆航图知识产权代理事务所(普通合伙) 50247 代理人: 胡小龙
地址: 400054 *** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明公开了基于光纤包层涂覆敏感膜的光纤迈克尔逊干涉式硫化氢气敏传感器,将无截止波长光子晶体光纤两端分别与单模光纤端面进行熔接,靠近光源一端进行熔接拉锥,使得塌陷层较长并加强干涉,另一端正常熔接形成塌陷层并将单模光纤另一端连接法拉第旋光镜,从而形成迈克尔逊结构的传感器。将Cu/rGO敏感膜包覆于光子晶体光纤包层,本发明提供的传感器对硫化氢气体有明显的选择性,在硫化氢气体浓度为0‑70ppm范围内,随着被测气体浓度不断增大,其干涉光谱呈现明显红移,且线性度较好,其响应恢复时间分别为70s和88s。该传感器成本低、灵敏度高、选择性强、结构简单,适用于低浓度硫化氢气体灵敏性探测。
搜索关键词: 基于 包层 敏感 迈克 干涉 硫化氢 传感器
【主权项】:
1.基于包层涂覆敏感膜的迈克尔逊干涉式硫化氢传感器,其特征在于:包括第一单模光纤、光子晶体光纤、第二单模光纤、敏感膜和旋光镜;所述光子晶体光纤的一端熔接第一单模光纤;所述光子晶体光纤的另一端熔接第二单模光纤;所述敏感膜涂覆于光子晶体光纤的包层上;所述第二单模光纤的另一端连接旋光镜。
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