[发明专利]多重陷光纳米二氧化钛电极及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 201910302850.X 申请日: 2019-04-16
公开(公告)号: CN109972168A 公开(公告)日: 2019-07-05
发明(设计)人: 何嵩;张彬彬 申请(专利权)人: 厦门大学
主分类号: C25B11/06 分类号: C25B11/06;C25B1/04;C23C18/12;C23C14/35;C23C14/08;C23C16/40;C23C28/04
代理公司: 北京彭丽芳知识产权代理有限公司 11407 代理人: 彭丽芳
地址: 361001 *** 国省代码: 福建;35
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摘要: 本公开实施例提供一种多重陷光纳米二氧化钛电极,具有分布在基底上的微米级凹坑,所述基底为硼掺杂氧化锌导电玻璃;所述微米级凹坑表面具有锥体结构单元组成的阵列;所述锥体结构单元表面均匀覆盖有纳米级二氧化钛。该微米级玻璃凹坑和纳米级锥体结构为光子的吸收提供多重陷光结构,扩大了二氧化钛的太阳能光谱的吸收范围,提高了光解水的效率。通过锥体结构增强了电极与溶液接触面积及光吸收量,增大二氧化钛和水反应的接触面积,提高了材料的光解水效率。
搜索关键词: 锥体结构 纳米二氧化钛电极 微米级凹坑 二氧化钛 光解水 基底 陷光 纳米级二氧化钛 制备方法和应用 太阳能光谱 单元表面 导电玻璃 光吸收量 均匀覆盖 溶液接触 陷光结构 电极 纳米级 硼掺杂 水反应 微米级 氧化锌 光子 凹坑 吸收 玻璃
【主权项】:
1.一种多重陷光纳米二氧化钛电极,其特征在于:具有分布在基底上的微米级凹坑,所述基底为硼掺杂氧化锌导电玻璃;所述微米级凹坑表面具有锥体结构单元组成的阵列;所述锥体结构单元表面均匀覆盖有纳米级二氧化钛。
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