[发明专利]取向生长晶体阵列构成的钒酸铋薄膜电极及其制备和应用在审
申请号: | 201910303856.9 | 申请日: | 2019-04-16 |
公开(公告)号: | CN111821972A | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 李灿;李登;施晶莹 | 申请(专利权)人: | 中国科学院大连化学物理研究所 |
主分类号: | B01J23/22 | 分类号: | B01J23/22;B01J37/02;B01J37/10;B01J37/08;C01B3/04 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 马驰 |
地址: | 116023 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明公开一种取向生长晶体阵列构成的钒酸铋薄膜电极,所述电极为导电基底上取向生长钒酸铋十面体晶体阵列组成的薄膜电极,其晶轴在垂直于其所生长处导电基底表面方向上呈[121]或[010]取向。本发明还公开了所述具有特定晶轴取向的晶体阵列钒酸铋薄膜电极的制备方法及其用于光电催化分水解用途。本发明的优点在于实现钒酸铋晶体阵列的取向生长,能够在非特定的外延基底上生长具有特定晶轴取向的钒酸铋电极,所得晶体阵列钒酸铋薄膜电极在光催化、光电催化、光伏电池以及半导体电子元器件等领域具有良好的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 取向 生长 晶体 阵列 构成 钒酸铋 薄膜 电极 及其 制备 应用 | ||
【主权项】:
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