[发明专利]一种十字变形梁结构的高g值加速度计芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201910304166.5 | 申请日： | 2019-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN110045151A | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 赵玉龙;张凯;王永录;李村;徐瀚洋;杨鑫婉 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01P15/12 | 分类号： | G01P15/12 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 贺建斌 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种十字变形梁结构的高g值加速度计芯片及其制备方法，芯片包括硅基底，硅基底下方设有玻璃衬底，硅基底上面中心设有十字变形梁，十字变形梁和硅基底之间设有梁释放孔，十字变形梁的四条固支端宽度小于其中间部分宽度，十字变形梁的两条相对固支端上分别设置有两条压敏电阻，四条压敏电阻的两端布置有重掺杂的欧姆接触区，欧姆接触区通过金属引线和金属焊盘连接，四条压敏电阻连接构成惠斯通电桥输出信号；制备方法通过干法刻蚀工艺制备不同宽度的十字变形梁，同时背腔采用湿法腐蚀工艺可以制备不同厚度的十字变形梁；本发明将压阻式敏感方式和十字梁变形结构相结合，极大提高了传感器的量程、频响、灵敏度以及过载能力，其量程可达15万g。 | ||
| 搜索关键词： | 变形梁 制备 硅基 压敏电阻 加速度计芯片 欧姆接触区 量程 干法刻蚀工艺 惠斯通电桥 变形结构 过载能力 金属焊盘 金属引线 湿法腐蚀 输出信号 传感器 灵敏度 十字梁 释放孔 压阻式 重掺杂 背腔 衬底 频响 芯片 玻璃 敏感 | ||
【主权项】：
1.一种十字变形梁结构的高g值加速度计芯片，包括硅基底(1)，其特征在于：硅基底(1)下方设有玻璃衬底(2)，硅基底(1)上面中心设有十字变形梁(4)，十字变形梁(4)和硅基底(1)之间设有梁释放孔(3)，十字变形梁(4)的四条固支端宽度小于其中间部分宽度，十字变形梁(4)的两条相对固支端上分别设置有两条压敏电阻(5)，四条压敏电阻(5)的两端布置有重掺杂的欧姆接触区(6)，欧姆接触区(6)通过金属引线(7)和金属焊盘(8)连接；所述的十字变形梁(4)的一条固支端设有第一压敏电阻(5‑1)和第二压敏电阻(5‑2)，另一条固支端设有第三压敏电阻(5‑3)、第四压敏电阻(5‑4)，第一压敏电阻(5‑1)和第四压敏电阻(5‑4)布置方向沿着[011]晶向，第二压敏电阻(5‑2)和第三压敏电阻(5‑3)布置方向沿着![]()
晶向，第一压敏电阻(5‑1)、第二压敏电阻(5‑2)、第三压敏电阻(5‑3)和第四压敏电阻(5‑4)连接构成惠斯通电桥，从而输出信号。
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