[发明专利]混合式级联SVG拓扑及其控制方法

摘要

本公开提供了一种混合式级联SVG拓扑结构及其控制方法，使用级联U‑Cell结构与三相H桥结构混用、SiC器件与Si器件混用，从而实现灵活高效、高性价比的无功补偿和高次谐波治理功能。在三相级联U‑Cell单元临近星型连接点处连结一个带电容器的三相H桥式电路，其中三相H桥开关管采用SiC功率器件，高开关频率进行调制，用以补偿电网高次谐波；级联U‑Cell单元开关管采用Si功率器件，低开关频率进行调制，用于补偿电网无功功率和支撑基波电压。相关控制主要用于SVG无功及高次谐波补偿以及电容稳压控制。

主权项

1.一种混合式级联SVG拓扑结构，其特征在于，包括：三相级联U‑Cell及三相H桥式电路，三相级联U‑Cell分别包括A相级联U‑Cell、B相级联U‑Cell及C相级联U‑Cell，每相级联U‑Cell均包括多个U‑Cell单元及一个半U‑Cell单元，所述U‑Cell单元包括一个极性电容和两个开关管，多个U‑Cell单元的极性电容的极性为极性相反的关系，并且同一极性电容两端的两个开关管为开通与关断互补的关系，所述半U‑Cell单元包括两个开关管；三相H桥式电路分别包括A相桥臂、B相桥臂及C相桥臂及一个电容器，每相桥臂均包括由开关管形成的上桥臂与下桥臂，每相桥臂的上桥臂的开关管的一端与下桥臂的开关管的一端连接，每相桥臂的上桥臂的开关管的另一端与下桥臂的开关管的另一端分别连接所述一个电容器的两端，A相桥臂的上桥臂与下桥臂的接点连接A相级联U‑Cell的半U‑Cell单元的两个开关管的接点，B相桥臂的上桥臂与下桥臂的接点连接B相级联U‑Cell的半U‑Cell单元的两个开关管的接点，C相桥臂的上桥臂与下桥臂的接点连接C相级联U‑Cell的半U‑Cell单元的两个开关管的接点。