[发明专利]双台阶光电器件及其制备方法

摘要

本发明涉及光电器件技术领域，提供了一种双台阶光电器件的制备方法，包括如下步骤：S1，于外延片上方依次制备第一掩膜图形和第二掩膜图形，第一掩膜图形的光刻窗口大于第二掩膜图形的光刻窗口；S2，以第二掩膜图形为掩膜对裸露在光刻窗口外的外延片进行刻蚀，直至第二掩膜图形消耗完，以获得第一层台阶；S3，以第一掩膜图形为掩膜继续对裸露在光刻窗口外的外延片进行刻蚀，以获得第二层台阶；S4，完成刻蚀后进行钝化以及电极制备，以得到双台阶光电器件。还提供一种双台阶光电器件。本发明通过采用第一掩膜图形和第二掩膜图形分别作为两次掩膜对外延片进行刻蚀，即通过一次刻蚀即得到双台阶结构，缩短了工艺流程，且避免了出现套刻偏差的情况。

主权项

1.一种双台阶光电器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1，于外延片上方依次制备第一掩膜图形和第二掩膜图形，所述第一掩膜图形的光刻窗口大于所述第二掩膜图形的光刻窗口；S2，以所述第二掩膜图形为掩膜对裸露在光刻窗口外的所述外延片进行刻蚀，直至所述第二掩膜图形消耗完，以获得第一层台阶；S3，以所述第一掩膜图形为掩膜继续对裸露在光刻窗口外的所述外延片进行刻蚀，以获得第二层台阶；S4，完成刻蚀后进行钝化以及电极制备，以得到双台阶光电器件。