[发明专利]一种存储器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种存储器及其制备方法。其中，存储器包括：衬底基板，衬底基板包括多个有源区和多个浅槽隔离区，有源区和浅槽隔离区间隔设置；填充浅槽隔离区的隔离层，隔离层延伸至有源区中靠近浅槽隔离区一侧的部分上表面；位于有源区内的凹槽结构，凹槽结构部分贯穿有源区对应的衬底基板；位于凹槽结构内壁表面并沿凹槽结构内壁延伸至隔离层部分上表面的浮栅，相邻的有源区对应的浮栅之间断开连接；位于浮栅上表面和隔离层上表面的介质层；位于介质层上的控制栅。本发明实施例提供的存储器具有较低的功耗和较高的良品率以及可靠性。

主权项

1.一种存储器，其特征在于，包括：衬底基板，所述衬底基板包括多个有源区和多个浅槽隔离区，所述有源区和所述浅槽隔离区间隔设置；填充所述浅槽隔离区的隔离层，所述隔离层延伸至所述有源区中靠近所述浅槽隔离区一侧的部分上表面；位于所述有源区内的凹槽结构，所述凹槽结构部分贯穿所述有源区对应的所述衬底基板；位于所述凹槽结构内壁表面并沿所述凹槽结构内壁延伸至所述隔离层部分上表面的浮栅，相邻的所述有源区对应的所述浮栅之间断开连接；位于所述浮栅上表面和所述隔离层上表面的介质层；位于所述介质层上的控制栅。