[发明专利](004)晶面择优的二氧化钛在钙钛矿太阳能电池中的应用和钙钛矿太阳能电池制备方法在审

专利信息
申请号: 201910305545.6 申请日: 2019-04-16
公开(公告)号: CN110010768A 公开(公告)日: 2019-07-12
发明(设计)人: 丁万昱;张鑫;何艳菲 申请(专利权)人: 大连交通大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/48;C23C14/08;C23C14/35;C23C14/58;C23C14/24;C23C14/14
代理公司: 大连东方专利代理有限责任公司 21212 代理人: 赵淑梅;李馨
地址: 116028 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明涉及一种(004)晶面择优的二氧化钛在钙钛矿太阳能电池中的应用和钙钛矿太阳能电池的制备方法,属于钙钛矿太阳能电池领域。本发明通过控制磁控溅射过程中钛靶表面磁控溅射的功率密度,得到具有不同晶体结构和择优取向的二氧化钛电子传输层,实现了二氧化钛电子传输层晶体结构和择优取向的可调控。
搜索关键词: 钙钛矿 太阳能电池 二氧化钛电子传输层 磁控溅射 二氧化钛 晶体结构 择优取向 晶面 太阳能电池领域 太阳能电池制备 钛靶表面 可调控 制备 应用
【主权项】:
1.(004)晶面择优的二氧化钛在钙钛矿太阳能电池中的应用。
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