[发明专利]一种空气间隙的形成方法及半导体器件

摘要

本发明公开了一种空气间隙的形成方法，包括：在衬底上形成存储区结构；然后在存储区结构之间沉积中间介质层，在中间介质层之间形成栅极间隙；最后在中间介质层及栅极间隙远离衬底的一侧沉积层间介电层，以形成空气间隙。相比于现有技术中在存储区结构之间沉积薄膜层，移除薄膜层形成栅极间隙，然后沉积层间介电层以形成空气间隙的方法，现有技术形成的空气间隙的宽度为两个存储区结构之间的距离，本发明在存储区结构之间先沉积中间介质层，形成的空气间隙的宽度为中间介质层之间的距离，中间介质层减小了空气间隙的大小，使得空气间隙的大小可控。由此，存储器件的形状也更均匀，半导体器件的均匀性更好。本发明还提供一种性能更好的半导体器件。