[发明专利]电泵浦深紫外AlGaN半导体激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 201910307014.0 | 申请日： | 2019-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN109888612A | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 黎大兵;王勇;孙晓娟;贾玉萍;石芝铭;刘新科 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01S5/32 | 分类号： | H01S5/32;H01S5/323 |
| 代理公司： | 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 | 代理人： | 王丹阳 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 电泵浦深紫外AlGaN半导体激光器及其制备方法涉及半导体激光器制造技术领域，解决了无法实现更短发光波长的问题，包括从下至上依次设置的衬底、AlN缓冲层、n型AlGaN限制层、n型AlGaN波导层、AlGaN有源层、p型AlGaN波导层、p面高反射率限制层，还包括设置在n型AlGaN限制层上且不连接n型AlGaN波导层的n面电极、设置在p型AlGaN波导层上且不连接p型AlGaN波导层的p面电极。方法包括在衬底上外延生长、p型掺杂；光刻、刻蚀电极图形；沉积金属电极；制备谐振腔面；腔面膜沉积。本发明降低了器件的阈值密度电流密度、提高器件的内量子效率、降低发光波长；制备方法工艺简单且应用前景广阔。 | ||
| 搜索关键词： | 波导层 半导体激光器 限制层 制备 电泵浦 衬底 沉积金属电极 应用前景广阔 制备方法工艺 内量子效率 短发 发光波长 高反射率 刻蚀电极 外延生长 谐振腔面 依次设置 光波长 沉积 光刻 面膜 制造 | ||
【主权项】：
1.电泵浦深紫外AlGaN半导体激光器，包括衬底(7)，其特征在于，还包括：设置在衬底(7)上的AlN缓冲层(6)；设置在AlN缓冲层(6)上的n型AlGaN限制层(5)；设置在n型AlGaN限制层(5)上的n型AlGaN波导层(4)；设置在n型AlGaN限制层(5)上的n面电极(9)，所述n面电极(9)与n型AlGaN波导层(4)不连接；设置在n型AlGaN波导层(4)上的AlGaN有源层(3)；设置在AlGaN有源层(3)上的p型AlGaN波导层(2)；设置在p型AlGaN波导层(2)上的p面高反射率限制层(1)；设置在p型AlGaN波导层(2)上的p面电极(8)，所述p面电极(8)与p型AlGaN波导层(2)不连接。
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