[发明专利]石墨基座有效
申请号: | 201910307319.1 | 申请日: | 2019-04-17 |
公开(公告)号: | CN110079790B | 公开(公告)日: | 2020-12-22 |
发明(设计)人: | 胡任浩;丁杰;周飚;胡加辉;李鹏 | 申请(专利权)人: | 华灿光电(浙江)有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 徐立 |
地址: | 322000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种石墨基座,属于半导体技术领域。石墨基座为圆盘形结构,石墨基座的第一圆形端面设有多个用于容纳外延片的圆形槽和至少一个第一环形槽,石墨基座的第二圆形端面设有至少一个第二环形槽;第一圆形端面上的所有圆形槽的圆心位于至少两个同心圆上,至少两个同心圆的圆心、至少一个第一环形槽的圆心与第一圆形端面的圆心重合,至少一个第二环形槽的圆心与第二圆形端面的圆心重合,至少一个第二环形槽的总体积大于至少一个第一环形槽的总体积。本发明可以均匀释放石墨基座同一表面热膨胀产生的应力,同时弥补石墨基座两个圆形端面热膨胀产生的应力差异,有效避免石墨基座在应力作用下变成凹型,提高同一石墨基座形成的外延片的均匀性。 | ||
搜索关键词: | 石墨 基座 | ||
【主权项】:
1.一种石墨基座,其特征在于,所述石墨基座(100)为圆盘形结构,所述石墨基座(100)的第一圆形端面(110)设有多个用于容纳外延片的圆形槽(10)和至少一个第一环形槽(20),所述石墨基座(100)的第二圆形端面(120)设有至少一个第二环形槽(30);所述第一圆形端面(110)上的所有所述圆形槽(10)的圆心位于至少两个同心圆(A)上,所述至少两个同心圆(A)的圆心、所述至少一个第一环形槽(20)的圆心与所述第一圆形端面(110)的圆心重合,所述至少一个第二环形槽(30)的圆心与所述第二圆形端面(120)的圆心重合,所述至少一个第二环形槽(30)的总体积大于所述至少一个第一环形槽(20)的总体积。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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