[发明专利]陶瓷多层器件和用于制造陶瓷多层器件的方法在审
| 申请号： | 201910307494.0 | 申请日： | 2016-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN110010320A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | U.沃兹尼亚克;T.法伊希廷格 | 申请（专利权）人： | 埃普科斯股份有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/108 | 分类号： | H01C7/108;H01C7/10;H01C7/102;H01C1/148;H01C17/065;H01C17/28;C04B37/02;C04B35/453;B32B18/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 卢江;刘春元 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及陶瓷多层器件和用于制造陶瓷多层器件的方法。描述一种多层器件（1），其具有陶瓷基体（2）和至少一个金属结构（3、5、6），其中所述金属结构（3、5、6）被共同烧结，其中所述基体（2）具有拥有金属结构（3、5、6）的材料的掺杂物，并且其中所述基体（2）利用金属结构（3、5、6）的材料来掺杂，使得减小在烧结过程期间材料从金属结构（3、5、6）到基体（2）中的扩散。还描述一种用于制造多层器件（1）的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 多层器件 金属结构 陶瓷 制造 烧结过程 陶瓷基体 烧结 掺杂物 减小 掺杂 扩散 | ||
【主权项】：
1.具有陶瓷基体（2）和至少一个金属结构（3、5、6）的多层器件（1），其中所述金属结构（3、5、6）被共同烧结，其中所述基体（2）是压敏电阻陶瓷并且具有以下组成：‑ ≥90%摩尔的ZnO，‑ 0.5%至5%摩尔的Sb2O3，‑ 0.05%至2%摩尔的Co3O4、Mn2O3、SiO2和/或Cr2O3，‑ <0.1%摩尔的B2O3、Al2O3和/或NiO。
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