[发明专利]晶体管和制备该晶体管的方法在审
| 申请号： | 201910307588.8 | 申请日： | 2019-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN110400843A | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 胡尚寿;朴锺镐;金世云;李相龙;姜荣权 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 尚玲;姚开丽 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开提供了一种晶体管和制备该晶体管的方法，所述晶体管包括沟槽，所述沟槽限定在半导体衬底中。栅极电极设置在所述沟槽中，并且通过栅极电介质与所述沟槽的侧壁绝缘。屏蔽电极设置在所述栅极电极下方的所述沟槽中，并且通过屏蔽电介质与所述栅极电极和所述沟槽的所述侧壁绝缘。所述屏蔽电介质包括固体电介质部分和设置在所述屏蔽电极与所述沟槽的所述侧壁之间的腔。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 栅极电极 电介质 侧壁绝缘 屏蔽电极 屏蔽 制备 固体电介质 栅极电介质 侧壁 衬底 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，其特征在于，所述晶体管包括：沟槽，所述沟槽限定在半导体衬底中并具有侧壁；栅极电极，所述栅极电极设置在所述沟槽中，并且通过栅极电介质与所述沟槽的所述侧壁绝缘；和屏蔽电极，所述屏蔽电极设置在所述栅极电极下方的所述沟槽中，并且通过屏蔽电介质与所述栅极电极和所述沟槽的所述侧壁绝缘，所述屏蔽电介质包括设置在所述屏蔽电极与所述沟槽的所述侧壁之间的腔，其中，所述腔环绕所述屏蔽电极。
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