[发明专利]一种纳米线、其制备方法、包含该纳米线的比率型荧光化学传感器及应用有效

专利信息
申请号: 201910308321.0 申请日: 2019-04-17
公开(公告)号: CN109897630B 公开(公告)日: 2021-12-14
发明(设计)人: 师文生;陈敏;穆丽璇 申请(专利权)人: 中国科学院理化技术研究所
主分类号: C09K11/59 分类号: C09K11/59;B82Y20/00;B82Y40/00;G01N21/64
代理公司: 北京正理专利代理有限公司 11257 代理人: 赵晓丹
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种纳米线,所述硅纳米线的结构中包括单根硅纳米线以及修饰在所述单根硅纳米线表面的Fluo‑3和Ru(bpy)2(mcbpy‑O‑Su‑ester)(PF6)2。该纳米线作为荧光化学传感器使用时,解决了单波长荧光检测的信噪比低的问题,且对钙离子具有好的检测效果及低的检测限,同时实现了对溶液中和单细胞中钙离子的定量检测。本发明还公开了该纳米线的制备方法以及包含该纳米线的比率型荧光化学传感器及其应用。
搜索关键词: 一种 纳米 制备 方法 包含 比率 荧光 化学 传感器 应用
【主权项】:
1.一种纳米线,其特征在于,所述硅纳米线的结构中包括单根硅纳米线以及修饰在所述单根硅纳米线表面的Fluo‑3和Ru(bpy)2(mcbpy‑O‑Su‑ester)(PF6)2
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