[发明专利]一种含单层二硫化钼结构的半导体器件仿真方法有效
| 申请号： | 201910308935.9 | 申请日： | 2019-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN110070920B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 江斌;渠开放;吉娜;李桂华;王伟 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | G16C10/00 | 分类号： | G16C10/00 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种含单层二硫化钼结构的半导体器件仿真方法，包括以下步骤：(1)从原子层面对单层二硫化钼进行二维材料结构建模；(2)计算单层二硫化钼材料的材料特性；(3)计算单层二硫化钼材料的哈密顿量导入紧束缚模型，得到带有紧束缚哈密顿参数的矩阵；(4)建立半导体器件模型，将含有紧束缚哈密顿参数的矩阵导入半导体器件模型来计算含单层二硫化钼结构的半导体器件的电学特性和输运特性。该仿真系统从二硫化钼的原子层面开始计算，将二维二硫化钼材料使用紧束缚哈密顿矩阵来表示，从而带入进行器件层面的计算，得到含有单层二硫化钼结构的半导体器件的电学特性和输运特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单层 二硫化钼 结构 半导体器件 仿真 方法 | ||
【主权项】：
1.一种含单层二硫化钼结构的半导体器件仿真方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)从原子层面对单层二硫化钼进行二维材料结构建模；(2)计算单层二硫化钼材料的材料特性，所述材料特性包括材料的能带和态密度；(3)计算单层二硫化钼材料的紧束缚哈密顿量，根据二硫化钼材料中各原子轨道的能带贡献得到原子间的紧束缚参数，计算带有紧束缚哈密顿参数的矩阵；(4)建立半导体器件模型，将含有紧束缚哈密顿参数的矩阵导入该模型来计算含单层二硫化钼结构的半导体器件的电学特性和输运特性。
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