[发明专利]一种电极结构复用的阻变存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 201910309479.X | 申请日： | 2019-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN109994605A | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 魏凌;尹延锋;孙献文 | 申请（专利权）人： | 河南大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 郑州优盾知识产权代理有限公司 41125 | 代理人： | 郑园 |
| 地址： | 475004 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阻变存储器及其制备方法,该阻变存储器从上到下依次是多个上电极，热导率低的绝缘介质层，阻变层，多个下电极层；其中下电极层与阻变层为欧姆接触，绝缘介质薄膜的热击穿电压ET1小于阻变层薄膜的热击穿电压ET2，阻变层需要施加触发电压ETC将阻变层材料的电阻开关功能触发,使阻变层位于高阻态或低阻值态，其中ETC＜ET2，未触发和疲劳时的阻变层为绝缘介质层，本发明得到很小的实际电极，降低了成本，优化了器件，在操作电流/电压大大减小的同时还使阻变存储器的性能参数更加集中，减小波动。该存储器结构解决了目前的当存储器电极下的阻变材料局部失效时，不能够再次利用该电极的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 阻变层 阻变存储器 绝缘介质层 下电极层 热击穿 电极 减小 制备 绝缘介质薄膜 存储器电极 存储器结构 操作电流 触发电压 从上到下 电极结构 电阻开关 功能触发 欧姆接触 实际电极 性能参数 再次利用 阻变材料 高阻态 热导率 触发 复用 薄膜 疲劳 施加 优化 | ||
【主权项】：
1.一种阻变存储器，其特征在于，从上到下依次是多个上电极，热导率低的绝缘介质层，阻变层，多个下电极层；其中下电极层与阻变层为欧姆接触，绝缘介质薄膜的热击穿电压ET1小于阻变层薄膜的热击穿电压ET2，阻变层需要施加触发电压ETC将阻变层材料的电阻开关功能触发,使阻变层位于高阻态或低阻值态，其中ETC＜ET2，未触发和疲劳时的阻变层的电阻值很高，相当于绝缘介质层。
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