[发明专利]用于检测半导体器件键合强度的测试装置及测试方法在审

专利信息
申请号: 201910310169.X 申请日: 2019-04-17
公开(公告)号: CN109932315A 公开(公告)日: 2019-06-25
发明(设计)人: 宾伟雄 申请(专利权)人: 深圳市德瑞茵精密科技有限公司
主分类号: G01N19/04 分类号: G01N19/04
代理公司: 北京久维律师事务所 11582 代理人: 邢江峰
地址: 518000 广东省深圳市南山区招商*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种用于检测半导体器件键合强度的测试装置,涉及半导体检测技术领域,解决了现有技术半导体器件键合强度测试装置容易出现测量失败的问题,其技术要点是:包括安装板,安装板上固定安装有复合悬臂梁,安装板在复合悬臂梁的自由端上部固定安装有用于测量自由端位移变化量的位移传感器;本发明通过固定在安装板上用于检测复合悬臂梁自由端位置的位移传感器,在测试刀具割裂半导体材料层的过程中,实时检测测试刀具的位置,保证了测试刀具不会产生过度穿透和穿透不够的问题,从而避免了测试失败的结果。
搜索关键词: 安装板 复合悬臂梁 测试 刀具 半导体器件 位移传感器 测试装置 自由端 键合 检测 穿透 测量 半导体材料层 强度测试装置 实时检测测试 半导体检测 技术半导体 位移变化量 自由端位置 技术要点 器件键合 失败 割裂 保证
【主权项】:
1.一种半导体器件键合强度测试方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、将待测样件(7)固定到位于测试装置下方的样品载台(8)上;S2、启动测试装置的驱动设备,使得测试装置沿Z轴移动,通过安装在测试装置上的接触传感器(4)检测测试装置上的测试刀具(6)是否到达待测样件(7)的半导体材料层(9)处,当测试刀具(6)到达半导体材料层(9)处后,测试装置继续移动直至接触传感器(4)的检测值达到预设压力值,测试装置停止位移,记录此时测试刀具(6)的位置;S3、控制测试刀具(6)和待测样品(7)产生相对位移,使得测试刀具(6)割破半导体材料层(9)表面的保护层,从而使得测试刀具(6)的刀刃穿越保护层,同时割破过程中实时检测测试刀具(6)的刀刃刃尖的割破深度,割破深度达到预设值H1时,固定测试刀具(6)在测试装置上的位置;S3、控制测试装置沿Z轴上移一个设定距离H2;S4、控制样品载台(8)或测试装置,使得测试刀具(6)的刀刃相对于半导体材料层(9)水平移动,使测试刀具(6)的刀刃正面剪切检测点(10),完成键合点强度测试。
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