[发明专利]一种晶界层电容器的制作方法有效
| 申请号： | 201910311066.5 | 申请日： | 2019-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN110098052B | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 杨昌平;李伟恒;胡竞楚;张木森;徐玲芳;梁世恒;王瑞龙;肖海波 | 申请（专利权）人： | 太原科技大学;湖北大学;南京铱方巨人新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12;H01G4/00 |
| 代理公司： | 武汉河山金堂专利事务所(普通合伙) 42212 | 代理人： | 胡清堂;陈懿 |
| 地址： | 030024 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明提供一种晶界层电容器的制作方法，采用三步法制备STO晶界层电容器。首先将STO生瓷片在还原性气氛中烧结得到半导体化基片，再选用适当氧化剂对STO半导体化基片进行绝缘化，最后利用STO晶界层电容器电阻值随负载电压及加压时间不断增加的特点，在加载电压条件下，对晶界层电容进行快速热处理来提高电容器的绝缘电阻值和一致性。该方法效果明显，对SrTiO |
||
| 搜索关键词： | 一种 晶界层 电容器 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶界层电容器的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：S1、运用流延法制备基片生坯，将基片生坯半导化得到STO基片，选取多种成分的金属与非金属氧化物的混合物作为氧化剂对STO基片进行绝缘化以及印刷电极，制备得到可测试介电性能的大瓷片；S2、将得到的可测试介电性能的大瓷片进行电、热处理，将处理后可测试介电性能的大瓷片进行切片处理，得到STO晶界层电容器；S3、将得到的STO晶界层电容器进行绝缘电阻及介电参数测量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于太原科技大学;湖北大学;南京铱方巨人新能源科技有限公司，未经太原科技大学;湖北大学;南京铱方巨人新能源科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910311066.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
