[发明专利]一种半导体元件及其制备方法在审
| 申请号： | 201910311770.0 | 申请日： | 2019-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN111834456A | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 王津洲 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 陈敏 |
| 地址： | 266555 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体元件及其制备方法，该半导体元件包括半导体衬底，形成在半导体衬底上的栅极沟道层、栅极介电层、位于栅极介电层上的栅极，以及位于所述栅极沟道层与所述栅极介电层两侧的源/漏极掺杂区，其特征在于，栅极沟道层及源/漏极掺杂区包括相同的掺杂物，掺杂物具有相同类型的带电粒子。该掺杂物可以是n型掺杂物或p型掺杂物。并且栅极沟道层的掺杂浓度小于源/漏极的掺杂浓度，在栅极和源/漏极之间产生电位势垒，使得栅极沟道层的带电粒子束缚于不导电的状态，在外加电场影响下，转为自由移动状态，产生开关效果。本发明的半导体元件无需经由栅极沟道层在外加电场影响下转换成反型离子而产生导电层的机制，因此速度更快。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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