[发明专利]芯片及其形成方法在审
| 申请号： | 201910312046.X | 申请日： | 2019-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN111834333A | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 刘志拯 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;董琳 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种芯片及其形成方法，所述芯片包括：衬底，所述衬底包括存储区域和外围区域；存储阵列，形成在所述存储区域内；至少一个反熔丝器件，形成在所述外围区域内，所述反熔丝器件用于修复所述存储阵列内由失效存储单元造成的存储缺陷；所述反熔丝器件包括：位于衬底表面的栅极结构，所述栅极结构包括位于衬底表面的栅介质层和位于所述栅介质层表面的栅极；在平行于衬底表面方向的所述栅极结构一侧的衬底内的掺杂区，所述掺杂区的至少部分边缘与所述栅极的边缘对齐或位于所述栅极下方。所述反熔丝器件更易被击穿。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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