[发明专利]CCZ连续拉晶坩埚及涂层方法在审
| 申请号： | 201910312944.5 | 申请日： | 2019-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN110029395A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 李德建;王会敏;何京辉;王东;颜超;路鹏;刘钦;李增卫;何志国;陈阳 | 申请（专利权）人： | 邢台晶龙电子材料有限公司;GTAT知识产权有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10;C30B29/06;C04B41/85 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 赵宝琴 |
| 地址： | 054001 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种CCZ连续拉晶坩埚及涂层方法，属于半导体材质制备技术领域，包括外坩埚和坩埚内环，外坩埚用于容纳待熔融的硅料；坩埚内环设置于外坩埚内，下端与外坩埚内壁相抵，其内部形成用于晶体生长的生长空间，其外部与外坩埚之间形成用于容纳硅料的加料空间，坩埚内环上设有用于熔融的硅料进入生长空间的通料孔。本发明提供的CCZ连续拉晶坩埚及涂层方法，能够延长坩埚使用寿命，提高单晶硅质量。 | ||
| 搜索关键词： | 坩埚 硅料 拉晶 内环 生长空间 熔融 制备技术领域 坩埚使用寿命 容纳 半导体材质 单晶硅 晶体生长 坩埚内壁 加料 通料孔 下端 相抵 外部 | ||
【主权项】：
1.CCZ连续拉晶坩埚，其特征在于，包括：外坩埚，用于容纳待熔融的硅料；坩埚内环，设置于所述外坩埚内，下端与所述外坩埚内壁相抵，其内部形成用于晶体生长的生长空间，其外部与所述外坩埚之间形成用于容纳硅料的加料空间，所述坩埚内环上设有用于熔融的硅料进入所述生长空间的通料孔。
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