[发明专利]一种NAND闪存栅极结构顶部氧化硅膜层的去除方法

摘要

本发明提供一种NAND闪存栅极结构顶部氧化硅膜层的刻蚀方法，提供半导体衬底，在半导体衬底上依次沉积第一氧化硅膜层、第一多晶硅层、ONO介电层、第二多晶硅层、氮化硅膜层、硬掩膜版氧化硅膜层，经过光刻蚀形成栅极结构，然后填充有机分布层，覆盖半导体衬底和栅极结构，接着去除部分有机分布层，暴露出硬掩膜版氧化硅膜层，未暴露出ONO介电层；再去除栅极结构顶部的硬掩膜版氧化硅膜层，最后去除剩余的有机分布层。有机分布层不与湿法刻蚀溶液里面的氢氟酸反应，所以通过所述方法，可以在去除栅极结构顶部硬掩膜版氧化硅膜层时，ONO介电层由于被有机分布层保护着而不被去除栅极结构顶部硬掩膜版氧化硅膜层的刻蚀溶液破坏，保证ONO介电层有效。

主权项

1.一种NAND闪存栅极结构顶部氧化硅膜层的刻蚀方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上依次沉积第一氧化硅膜层、第一多晶硅层、ONO介电层、第二多晶硅层、氮化硅膜层、硬掩膜版氧化硅膜层，对所述第一氧化硅膜层、所述第一多晶硅层、所述ONO介电层、所述第二多晶硅层、所述氮化硅膜层、所述硬掩膜版氧化硅膜层进行光刻和刻蚀形成栅极结构；填充有机分布层，覆盖半导体衬底和栅极结构；去除部分有机分布层，暴露出硬掩膜版氧化硅膜层，未暴露出ONO介电层；去除栅极结构顶部的硬掩膜版氧化硅膜层；去除剩余的有机分布层。