[发明专利]一种无电容型低压差线性稳压器有效

专利信息
申请号: 201910314757.0 申请日: 2019-04-18
公开(公告)号: CN109976424B 公开(公告)日: 2020-07-31
发明(设计)人: 李泽宏;胡任任;杨耀杰;洪至超;仪梦帅;杨尚翰 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G05F1/46 分类号: G05F1/46
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 葛启函
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 一种无电容型低压差线性稳压器,属于电子电路技术领域。包括偏置电路、运算放大器电路、电源电压采样电路、补偿电路以及功率管和反馈环路,偏置电路用于提供偏置,运算放大器电路将反馈电压和基准电压进行处理,并将处理结果传递给功率管和反馈环路,电源电压采样电路采用中频PSRR提高技术,通过第四电容采样电源电压的变化,使第一功率管的栅极电压抵消电源电压的变化,提高中频PSRR;补偿电路通过第二电容使输出直接耦合到第三PMOS管栅极,具有瞬态增强作用,同时第三电容切断前馈通路,拓展带宽,改善了第二电容的影响;功率管采用辅助功率管和主功率管分开控制的方式,提高了轻载时系统效率,同时降低主功率管的栅寄生电容,提高系统稳定性。
搜索关键词: 一种 电容 低压 线性 稳压器
【主权项】:
1.一种无电容型低压差线性稳压器,包括偏置电路、运算放大器电路、补偿电路以及功率管和反馈环路,所述偏置电路用于提供第一偏置电压、第二偏置电压、第三偏置电压和第一偏置电流;所述运算放大器电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管,第五PMOS管的栅极连接反馈电压,其源极连接第六PMOS管的源极和所述第一偏置电流,其漏极连接第一NMOS管的源极和第三NMOS管的漏极;第六PMOS管的栅极连接基准电压,其漏极连接第二NMOS管的源极和第四NMOS管的漏极;第一PMOS管的栅漏短接并连接第二PMOS管的栅极和第一NMOS管的漏极,其源极连接第二PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管的源极并连接电源电压;第二NMOS管的栅极连接第一NMOS管的栅极和所述第二偏置电压,其漏极连接第二PMOS管的漏极和第三PMOS管的栅极;第三NMOS管的栅极连接第四NMOS管的栅极和所述第一偏置电压,其源极连接第四NMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管的源极并接地;第四PMOS管的栅极连接外部偏置电压,其漏极连接第六NMOS管的漏极并作为所述运算放大器电路的输出端;第五NMOS管的栅漏短接并连接第三PMOS管的漏极和第六NMOS管的栅极;其特征在于,所述无电容型低压差线性稳压器还包括电源电压采样电路,所述电源电压采样电路包括第七NMOS管、第八NMOS管、第三电阻和第四电容,第四电容的一端连接电源电压,另一端连接第七NMOS管的栅极和漏极、第八NMOS管的栅极以及所述第三偏置电压并通过第三电阻后接地;第八NMOS管的漏极连接所述运算放大器电路中第三PMOS管的漏极,其源极连接第七NMOS管的源极并接地;所述功率管和反馈环路包括第一功率管、第二功率管、第五电阻和第六电阻,第一功率管的栅极连接所述运算放大器电路的输出端,其漏极连接第二功率管的漏极并作为所述无电容型低压差线性稳压器的输出端,其源极连接第二功率管的源极并连接电源电压;第二功率管的栅极连接所述运算放大器电路中第三PMOS管的栅极;第五电阻和第六电阻串联并接在所述无电容型低压差线性稳压器的输出端和地之间,其串联点输出所述反馈电压;所述补偿电路包括第一电容、第二电容、第三电容、第一电阻、第二电阻和第七PMOS管,第二电容的一端连接所述运算放大器电路中第三PMOS管的栅极,另一端连接第三电容的一端和所述无电容型低压差线性稳压器的输出端,第三电容的另一端连接所述运算放大器电路中第二NMOS管的源极;第七PMOS管的栅漏短接并通过第一电阻后连接第一功率管的栅极,其源极连接第一电容的一端和电源电压;第一电容的另一端通过第二电阻后连接第一功率管的栅极。
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