[发明专利]一种微发光二极管阵列制作方法有效
| 申请号： | 201910315135.X | 申请日： | 2019-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN109873060B | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 刘久澄;龚政;龚岩芬;潘章旭;陈志涛 | 申请（专利权）人： | 广东省半导体产业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L27/15;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 崔振 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种微发光二极管阵列制作方法，涉及发光二极管技术领域。首先基于第一基板的一侧制作图案化发光层，然后基于第二基板的一侧制作与所述图案化发光层对应的图案化键合层，其中，所述图案化键合层包括牺牲层，再将所述图案化发光层与所述图案化键合层进行键合，以在所述第二基板的一侧形成多个发光芯片，最后去除所述牺牲层，并利用一转移基板对部分或者全部所述发光芯片进行剥离。本发明实施例提供的微发光二极管阵列制作方法具有加工过程更加高效的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 阵列 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种微发光二极管阵列制作方法，其特征在于，所述微发光二极管阵列制作方法包括：基于第一基板的一侧制作图案化发光层；基于第二基板的一侧制作与所述图案化发光层对应的图案化键合层，其中，所述图案化键合层包括牺牲层；将所述图案化发光层与所述图案化键合层进行键合，以在所述第二基板的一侧形成多个发光芯片；去除所述牺牲层，并利用一转移基板对部分或者全部所述发光芯片进行剥离；将所述转移基板上的发光芯片安装于目标基板，以形成微发光二极管阵列。
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