[发明专利]新型电源软启动电路在审

专利信息
申请号: 201910315412.7 申请日: 2019-04-19
公开(公告)号: CN109905022A 公开(公告)日: 2019-06-18
发明(设计)人: 汪道生;曾景辰 申请(专利权)人: 珠海美创芯半导体有限公司
主分类号: H02M1/36 分类号: H02M1/36;H02M1/34
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 519080 广东省珠海市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供新型电源软启动电路,包括电阻R1、电源端子VCC、电源端子GND、MOS管P0、MOS管P1、MOS管P2、MOS管P3、MOS管P4以及MOS管P5,所述MOS管P0、MOS管P1、MOS管P2、MOS管P3、MOS管P4以及MOS管P5的漏极均通过导线与电源端子VCC相连接,所述MOS管P0的源极通过导线与电阻R1的一端相连接,所述电阻R1的另一端通过导线接地,所述MOS管P0的栅极与MOS管P1的栅极通过导线相连接,所述MOS管P0的源极通过导线与MOS管P1的栅极相连接,所述MOS管P1的栅极通过导线分别与MOS管P2的栅极、MOS管P3的栅极以及MOS管P4的栅极相连接,与现有技术相比,本发明具有如下的有益效果:实现了通过频率控制单元调整充放电电流以及保护电源电路的功能。
搜索关键词: 电源端子 电阻 软启动电路 新型电源 源极 频率控制单元 充放电电流 导线接地 电源电路 漏极
【主权项】:
1.新型电源软启动电路,包括控制芯片IC1、电容C1、电阻R1、电源端子VCC、电源端子GND、MOS管P0、MOS管P1、MOS管P2、MOS管P3、MOS管P4、MOS管P5、MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4、MOS管Q5、MOS管N1、MOS管N2、MOS管N3以及MOS管N4,其特征在于:所述MOS管P0、MOS管P1、MOS管P2、MOS管P3、MOS管P4以及MOS管P5的漏极均通过导线与电源端子VCC相连接,所述MOS管P0的源极通过导线与电阻R1的一端相连接,所述电阻R1的另一端通过导线接地,所述MOS管P0的栅极与MOS管P1的栅极通过导线相连接,所述MOS管P0的源极通过导线与MOS管P1的栅极相连接,所述MOS管P1的栅极通过导线分别与MOS管P2的栅极、MOS管P3的栅极以及MOS管P4的栅极相连接,所述MOS管P1的源极通过导线与MOS管N1的漏极相连接;所述MOS管N1的源极通过导线接地,所述MOS管N1的漏极通过导线分别与MOS管N2的栅极、MOS管N3的栅极以及MOS管N4的栅极相连接,所述MOS管N1的栅极通过导线与MOS管N2的栅极相连接,所述MOS管N2的源极、MOS管N3的源极以及MOS管N4的源极均通过导线接地,所述MOS管P2的源极通过导线接MOS管Q1的漏极;所述MOS管Q1的源极通过导线分别与MOS管Q2以MOS管Q3的源极相连接,所述MOS管P3的源极通过导线与MOS管Q2的漏极相连接,所述MOS管Q2的源极通过导线与MOS管Q4的漏极相连接,所述MOS管Q4的源极通过导线与MOS管N2的漏极相连接,所述MOS管P4的源极通过导线与MOS管Q3的漏极相连接,所述MOS管Q3的源极通过导线与MOS管Q5的漏极相连接,所述MOS管Q5的源极通过导线与MOS管N3的漏极相连接;所述电容C1的正极通过导线分别与MOS管Q5的漏极以及MOS管P5的栅极相连接,所述电容C1的负极通过导线接地,所述MOS管P5的源极通过导线与MOS管N4的源极相连接。
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