[发明专利]一种用于生长接近平衡态SiC单晶的坩埚及SiC单晶的生长方法有效
| 申请号： | 201910316104.6 | 申请日： | 2019-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN109943887B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 胡小波;徐现刚;陈秀芳;彭燕;杨祥龙 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B23/06 | 分类号： | C30B23/06;C30B29/36 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 陈桂玲 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于生长接近平衡态SiC单晶的坩埚及SiC单晶的生长方法。该坩埚包括外坩埚和内坩埚；所述外坩埚为发热体，内坩埚为生长坩埚；所述外坩埚和内坩埚之间的间距为5～10mm。本发明提供的一种用于生长接近平衡态SiC单晶的坩埚，将发热体与生长坩埚分开，外坩埚起发热体的作用，内坩埚为生长坩埚，外坩埚的热量主要通过辐射方式传输到内坩埚中，内坩埚具有径向温度梯度和轴向温度梯度小的特点，采用新型坩埚，单晶生长在接近平衡态的条件下进行，因此生长的单晶缺陷密度低，适合于培养高质量SiC单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 生长 接近 平衡 sic 坩埚 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于生长接近平衡态SiC单晶的坩埚，其特征在于，包括外坩埚和内坩埚；所述外坩埚为发热体，内坩埚为生长坩埚；所述外坩埚和内坩埚之间的间距为5～10mm。
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