[发明专利]一种CVD碳化硅涂层和超长碳化硅纳米线共同制备的方法

摘要

一种CVD碳化硅涂层和超长碳化硅纳米线共同制备的方法，将试样A超声清洗，然后放入1号管式炉中，将基体B浸泡在催化剂溶液中，放入2号管式，1、2号管式炉抽真空后，1号管式炉通入三氯甲基硅烷、H₂和Ar，升温到950~1250℃，系统压强为10~1000Pa,时间为5~10h，1号管式炉的尾气经过过滤装置通入2号管式炉，并同时通入1号管式炉CH₃SiCl₃流量0.1~0.6倍的CH₃SiCl₃,升温到1200~1400℃，保温5~10h，随炉冷却后，即在试样A上得到碳化硅涂层，在基体B上得到超长碳化硅纳米线。本发明在制备CVD碳化硅涂层的同时，用其尾气制备超长碳化硅纳米线，对尾气中的有效成分进行二次利用，节约成本和时间，保护环境。

主权项

1.一种CVD碳化硅涂层和超长碳化硅纳米线共同制备的方法，其特征在于，包括以下顺序步骤：将试样A超声清洗，烘干，放入1号管式炉中；将一块干燥的基体B浸泡在催化剂溶液中，催化剂溶液浓度为0.05~0.5mol/L，时间5~30h,真空干燥；（3）基体B置于瓷方舟中，将瓷方舟放入2号管式炉中；（4）1、2号管式炉抽真空后，1号通入三氯甲基硅烷、H₂和Ar， H₂、Ar和CH₃SiCl₃比例为5~15:5~15:1，温度为950~1250℃，系统压强为10~1000Pa, 时间为5~10h;（5）1号管式炉的尾气经过活性炭毡过滤装置后通入2号管式炉，并同时通入1号管式炉CH₃SiCl₃流量0.1~0.6倍的CH₃SiCl₃,以5~10℃/min 的升温速率升温到1200~1400℃，保温5~10h;（6）随炉冷却后，即在试样A上得到碳化硅涂层，在基体B上得到超长碳化硅纳米线。