[发明专利]光缓存芯片及电子设备有效
| 申请号： | 201910316646.3 | 申请日： | 2019-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN110191379B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 李明;刘大鹏;孙术乾;石暖暖;祝宁华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H04Q11/00 | 分类号： | H04Q11/00;G02B6/35 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种光缓存芯片，应用于集成微波光子学技术领域，包括磷化铟芯片和二氧化硅芯片，磷化铟芯片包括多个光开关，二氧化硅芯片包括多个不同延时量的延时螺旋线波导，多个光开关与多个不同延时量的延时螺旋线波导一一对应连接，磷化铟芯片用于接收光信号，通过控制多个光开关分别一一控制光信号是否经过多个不同延时量的延时螺旋线波导传输，以实现光信号在传输过程中不同的延时组合。本公开还提供了一种电子设备，包含上述光缓存芯片。本公开提供的一种光缓存芯片相比于传统的光缓存器减小了的体积和重量，降低了功耗，通过引入多个不同延时量的二氧化硅波导螺旋线，可以实现不同的延时组合。 | ||
| 搜索关键词： | 缓存 芯片 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种光缓存芯片，其特征在于，包括：磷化铟芯片(100)，包括多个光开关(101，102，103，104)，用于控制光信号的通断；二氧化硅芯片(200)，包括多个不同延时量的延时螺旋线波导(201，202，203，204)，其中，所述多个不同延时量的延时螺旋线波导(201，202，203，204)与所述多个光开关(101，102，103，104)一一对应连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910316646.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
