[发明专利]一种应用于三维闪存存储器的选通管及其制备方法

摘要

本发明属于半导体存储领域，具体公开了一种应用于三维闪存存储器的选通管及其制备方法，其中该选通管包括第一金属屏蔽层、第二金属屏蔽层以及选通功能层；该选通管设置在用于构成三维闪存存储器的闪存存储串的顶端，并位于垂直沟道的正上方；选通管与闪存存储串一一对应，任意一个闪存存储串均呈三维堆叠结构垂直设置在衬底上；选通功能层用于根据第一金属屏蔽层与第二金属屏蔽层上的电压导通或截止，从而控制位于该选通管下方的闪存存储串的选通。本发明通过对选通管的内部结构、设置方式等进行改进，与现有技术相比能够有效解决选通管制备工艺与三维闪存存储器制备工艺不兼容、且选通管功耗高等问题。

主权项

1.一种应用于三维闪存存储器的选通管，其特征在于，该选通管包括第一金属屏蔽层、第二金属屏蔽层以及选通功能层，其中所述选通功能层位于所述第一金属屏蔽层以及所述第二金属屏蔽层之间；该选通管设置在用于构成三维闪存存储器的闪存存储串的顶端，并位于垂直沟道的正上方；所述选通管与所述闪存存储串一一对应，任意一个所述闪存存储串均呈三维堆叠结构垂直设置在衬底上；并且，所述第一金属屏蔽层与位线相连，所述第二金属屏蔽层与闪存存储串的存储沟道顶部相连，存储沟道的底部与源极相连；所述选通功能层用于根据所述第一金属屏蔽层与所述第二金属屏蔽层之间的电压之差导通或截止，从而控制位于该选通管下方的闪存存储串的选通；其中，当所述第一金属屏蔽层与所述第二金属屏蔽层之间的电压值之差的绝对值大于等于阈值电压值时所述选通功能层导通，当所述第一金属屏蔽层与所述第二金属屏蔽层之间的电压值之差的绝对值小于阈值电压值时所述选通功能层截止；此外，在三维闪存存储器进行读或写操作，需要选择特定存储串时，通过在位线和源极分别施加满足电压相对大小条件的位线电压和源极电压使所述选通功能层导通或截止。