[发明专利]一种雪崩光电二极管扩散结构、制备方法及二极管器件

摘要

本发明提供了一种雪崩光电二极管扩散结构、制备方法及二极管器件。所述扩散结构包括：中心圆形有源区(1)、直径大于所述有源区(1)直径，并且直径依次增大的第一保护环区(2)和第二保护环区(3)、与所述第二保护环区(3)间隔预设距离的扩散沟槽区(4)。实现了在不影响器件诸如暗电流、带宽增益积等其他关键参数性能的前提下，抑制边缘击穿，并简化传统保护环工艺的繁杂的扩散工艺。

主权项

1.一种雪崩光电二极管扩散结构，其特征在于，所述扩散结构包括：中心圆形有源区(1)、直径大于所述有源区(1)直径，并且直径依次增大的第一保护环区(2)和第二保护环区(3)、与所述第二保护环区(3)间隔预设距离的扩散沟槽区(4)。