[发明专利]一种基于分子自旋态的磁场调控存储器件及数据存储方法有效
| 申请号： | 201910317941.0 | 申请日： | 2019-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN110176254B | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 李若宁;王永锋;侯士敏 | 申请（专利权）人： | 北京大学（天津滨海）新一代信息技术研究院 |
| 主分类号： | G11B5/65 | 分类号： | G11B5/65;G11B5/706 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 300452 天津市滨海新*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于分子自旋态的磁场调控存储器件及数据存储方法。该存储器件包括基体，数据存储介质和探针，所述基体为导电基体；所述数据存储介质为自旋态可变有机分子层，其规则排列在导电基体表面；所述探针用于数据存储介质的数据的写入和/或读取；所述写入操作包括通过施加磁场改变自旋态可变分子层中有机分子的自旋态，所述读取操作包括检测出可变分子层中分子的自旋态；所述自旋可变有机分子为酞菁亚铁分子。本发明以酞菁亚铁分子为存储介质，通过改变施加磁场的强弱控制分子自旋态的转变，实现了信息的单分子写入，通过探针检测自旋态可以实现信息的单分子读取，从而达到利用磁场调控分子自旋态进行信息存储的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 分子 自旋 磁场 调控 存储 器件 数据 方法 | ||
【主权项】：
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