[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201910317942.5 | 申请日： | 2019-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN110400839B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 上马场龙;高桥彻雄;古川彰彦 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于，在将晶体管区域和二极管区域一起设置于一个半导体衬底之上的半导体装置中，在二极管的恢复动作时实现良好的耐受性。半导体基体(30)在IGBT区域(1)以及二极管区域(2)中具有n‑型漂移层(3)，在IGBT区域(1)中具有：p型基极层(4)，其形成于n‑型漂移层(3)之上；p+型扩散层(5)以及n+型发射极层(6)，它们选择性地形成于p型基极层(4)之上，与p型基极层(4)相比p型杂质浓度高；以及栅极电极(9)，其隔着栅极绝缘膜(8)与p型基极层(4)相对，在二极管区域(2)中具有形成于n‑型漂移层(3)之上的p‑型阳极层(19)。p+型扩散层(5)与p‑型阳极层(19)相比p型杂质浓度高，p+型扩散层(5)随着接近二极管区域(2)而变浅，且p型杂质浓度变小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其具有半导体基体，该半导体基体具有一个主面以及另一个主面，所述半导体基体被划分成：晶体管区域，其从一个主面跨越到另一个主面，构成晶体管；以及二极管区域，其从一个主面跨越到另一个主面，构成二极管，所述半导体基体在所述晶体管区域以及所述二极管区域中具有第1导电型的漂移层，所述半导体基体在所述晶体管区域中具有：第2导电型的基极层，其形成于所述漂移层之上；第2导电型的扩散层以及第1导电型的发射极层，它们选择性地形成于所述基极层之上，与所述基极层相比第2导电型杂质浓度高；以及栅极电极，其隔着绝缘膜与所述基极层相对，所述半导体基体在所述二极管区域中具有形成于所述漂移层之上的第2导电型的阳极层，所述扩散层与所述阳极层相比第2导电型杂质浓度高，所述扩散层随着接近所述二极管区域而变浅，且第2导电型杂质浓度变小。
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