[发明专利]一种基于二维半导体材料垂直沟道的三维闪存存储器及其制备在审
| 申请号： | 201910318961.X | 申请日： | 2019-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN110148598A | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | 缪向水;钱航;童浩 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L27/11568 | 分类号： | H01L27/11568;H01L27/11582;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/16;H01L29/24;H01L29/792;H01L21/34;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体存储器制造领域，更具体地，涉及一种基于二维半导体材料垂直沟道的三维半导体存储器及其制备，所述三维半导体存储器，包含多个垂直方向的三维存储串，每一个三维存储串包含一个半导体垂直沟道，半导体垂直沟道的长度由存储器三维堆叠的层数决定；所述垂直沟道材料包括一种或多种二维半导体材料，以及所述二维半导体材料表面的保护层，所述保护层用于对该二维半导体材料进行支撑保护，所述二维半导体材料的载流子迁移率高于非晶硅的载流子迁移率。本发明利用二维材料作为存储器沟道，可以提供更高的存储器单元开态电流，从而降低存储器的操作功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 二维半导体 垂直沟道 存储器 三维半导体存储器 载流子迁移率 三维存储 保护层 制备 半导体 半导体存储器 存储器单元 闪存存储器 操作功耗 二维材料 开态电流 三维堆叠 支撑保护 非晶硅 沟道 三维 制造 | ||
【主权项】：
1.一种基于二维半导体材料垂直沟道的三维半导体存储器，所述三维半导体存储器，包含多个垂直方向的三维存储串，每一个三维存储串包含一个半导体垂直沟道，半导体垂直沟道的长度由存储器三维堆叠的层数决定；其特征在于，所述垂直沟道材料包括一种或多种二维半导体材料，以及所述二维半导体材料表面的保护层，所述保护层用于对该二维半导体材料进行支撑保护，所述二维半导体材料的载流子迁移率高于非晶硅的载流子迁移率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
