[发明专利]一种半导体切割用激光裂片装置及其裂片方法在审
| 申请号： | 201910318968.1 | 申请日： | 2019-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN110047784A | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 程远贵 | 申请（专利权）人： | 湖南新锐微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 伍传松 |
| 地址： | 410000 湖南省长沙市高新*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体切割用激光裂片装置及其裂片方法，半导体切割用激光裂片装置包括溶液槽、托料底座、激光加热装置以及提升驱动机构；所述托料底座用于承托碳化硅棒且置于溶液槽内，所述溶液槽内容纳有冷却液；所述激光加热装置设置在托料底座上方，用于对放置在托料底座上的碳化硅棒上端进行激光加热；所述提升驱动机构与托料底座连接用于驱动托料底座升降。本设计不需要切割碳化硅棒，提高材料利用率；该装置结构更为简单，故障率低，维护维修方便；该装置外围条件需求简单，占地少，操作安全，维修方便。 | ||
| 搜索关键词： | 托料 底座 切割 裂片装置 碳化硅棒 溶液槽 半导体 激光加热装置 提升驱动机构 激光 裂片 材料利用率 操作安全 底座连接 底座升降 激光加热 条件需求 维护维修 维修方便 装置结构 故障率 冷却液 上端 承托 外围 驱动 | ||
【主权项】：
1.一种半导体切割用激光裂片装置，其特征在于：包括溶液槽(101)、托料底座(103)、激光加热装置(108)以及提升驱动机构；所述托料底座(103)用于承托碳化硅棒(114)且置于溶液槽(101)内，所述溶液槽(101)内容纳有冷却液；所述激光加热装置(108)设置在托料底座(103)上方，用于对放置在托料底座(103)上的碳化硅棒(114)上端进行激光加热；所述提升驱动机构与托料底座(103)连接用于驱动托料底座(103)升降。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
