[发明专利]基于纳米晶浮栅的三维非易失性半导体存储器及其制备方法

摘要

本发明属于三维闪存存储器制备领域，更具体地，涉及一种基于纳米晶浮栅的三维非易失性半导体存储器及其制备方法。该三维半导体存储器包括多个位于垂直方向的三维NAND存储串，每个三维NAND存储串包括半导体区域，以及围绕所述半导体区域的四层包裹结构，依次为隧穿电介质层、电荷存储层、阻隔电介质层以及控制栅电极；其中，所述电荷存储层的材料包含纳米晶材料，所述纳米晶材料为硫系化合物纳米晶。本发明采用自身空穴结构含量很高的硫系化合物纳米晶作为电荷存储层材料，提高了三维闪存存储器单个存储单元的编程/擦除效率、编程/擦除速度额以及电荷的存储能力，并且本发明纳米晶浮栅的工艺过程简单，与垂直沟道工艺兼容。

主权项

1.一种基于纳米晶浮栅的非易失性三维半导体存储器，包括多个位于垂直方向的三维NAND存储串，其特征在于，每个三维NAND存储串包括半导体区域，以及围绕所述半导体区域的四层包裹结构，所述四层包裹结构从里到外依次为隧穿电介质层、电荷存储层、阻隔电介质层以及控制栅电极；其中，所述电荷存储层的材料包含纳米晶材料，所述纳米晶材料为硫系化合物纳米晶。