[发明专利]一种具有阶梯N型重掺杂埋层的半超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管有效
| 申请号： | 201910319235.X | 申请日： | 2019-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN110021655B | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 黄俊杰;段宝兴;杨鑫;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种具有阶梯N型重掺杂埋层的半超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管。该器件在P型外延层上部中间区域形成N型漂移辅助区，其左端与P型基区邻接，右端与半超结区邻接；P型外延层内部设置有阶梯N型重掺杂埋层；较薄的N型重掺杂埋层上端与半超结区的距离W满足使较薄的N型重掺杂埋层上方的P型外延层完全耗尽；阶梯N型重掺杂埋层的阶梯高度h与重掺杂浓度相适配。本发明在解决衬底辅助耗尽效应的同时，通过调节漏源两端的电场分布，进一步优化了击穿电压与比导通电阻之间的矛盾关系，实现了高的击穿电压和低的比导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 阶梯 掺杂 半超结 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 场效应 | ||
【主权项】：
1.一种具有阶梯N型重掺杂埋层的半超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：P型衬底；位于P型衬底表面的P型外延层；在P型外延层上部左端形成的P型基区，P型基区部分表面形成N型源区；在P型外延层上部右端形成的半超结区，包括横向周期间隔设置的N型柱区和P型柱区；半超结区部分表面形成N型漏区；其特征在于：在P型外延层上部中间区域形成N型漂移辅助区，其左端与P型基区邻接，右端与半超结区邻接；所述P型外延层内部设置有阶梯N型重掺杂埋层；其中靠近源端的区域为较厚的N型重掺杂埋层，纵向对应于基区；靠近漏区的区域为较薄的N型重掺杂埋层，纵向对应于N型漂移辅助区和半超结区；较薄的N型重掺杂埋层上端与半超结区的距离W满足使较薄的N型重掺杂埋层上方的P型外延层完全耗尽；阶梯N型重掺杂埋层的阶梯高度h与重掺杂浓度相适配，根据击穿电压要求确定。
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