[发明专利]分栅快闪存储器及其形成方法

摘要

本发明提供了一种分栅快闪存储器及其形成方法，在分栅快闪存储器的形成方法中，采用倒梯形的第一沟槽替代现有的垂直形的第一沟槽，以形成更好的浮栅尖端，增大在第一沟槽填充氧化物的填充窗口，从而避免了在第一沟槽中出现孔洞，减小对后续制程的不利影响，还有利于分栅快闪存储器的性能稳定性和制程稳定性。同时，该结构在形成第二沟槽的同时形成了浮栅尖端，减少了专门形成浮栅尖端的步骤，避免了在浮栅尖端下方的耦合氧化层在横向出现凹陷的问题，从而避免了其对分栅式闪存的数据保持能力的影响，同时还提高了生产效率，降低了生产成本。

主权项

1.一种分栅快闪存储器的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成有耦合氧化层、浮栅多晶硅层和层间介质层；刻蚀所述层间介质层，并刻蚀停止在部分深度的所述浮栅多晶硅层中，以形成第一沟槽，所述第一沟槽为环状沟槽，且所述第一沟槽沿其深度方向呈倒梯形；在所述第一沟槽中填充氧化物，以得到第一氧化层；刻蚀位于所述第一氧化层内侧的层间介质层和浮栅多晶硅层，以形成第二沟槽和浮栅尖端，所述第二沟槽暴露出所述耦合氧化层以及浮栅尖端；以及在所述第二沟槽中形成擦除栅，以形成分栅快闪存储器。