[发明专利]氧化镓钝化的铋酸铜/氧化铜薄膜光电阴极制备方法有效
| 申请号： | 201910321420.2 | 申请日： | 2019-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN109957813B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 马德琨;马春艳;李自新 | 申请（专利权）人： | 温州大学 |
| 主分类号： | C25B1/55 | 分类号： | C25B1/55;C25B1/04;C25B11/091;C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 325000 浙江省温州市瓯海*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种氧化镓钝化的铋酸铜/氧化铜薄膜光电阴极制备方法，包括如下步骤：S1、将Cu金属、Bi金属分别装载在钨舟中，放在FTO基底的下方；加热Cu金属、Bi金属使之气化并沉积在FTO基底形成固体薄膜；然后空气中退火处理，得到CuBi |
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| 搜索关键词： | 氧化 钝化 铋酸铜 氧化铜 薄膜 光电 阴极 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.氧化镓钝化的铋酸铜/氧化铜薄膜光电阴极制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、将Cu金属、Bi金属分别装载在钨舟中，放在FTO基底的下方；加热Cu金属、Bi金属使之气化并沉积在FTO基底形成固体薄膜；然后空气中退火处理，得到CuBi2O4‑CuO薄膜光电阴极；S2、将步骤S1中得到的CuBi2O4‑CuO薄膜光电阴极基材置于磁控溅射真空室的样品台上，安装附有铜背的陶瓷靶Ga2O3，然后进行磁控溅射，得到CuBi2O4‑CuO/Ga2O3薄膜光电阴极。
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