[发明专利]非对称微盘腔边发射半导体激光器阵列叠阵有效
| 申请号： | 201910322106.6 | 申请日： | 2019-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN110011179B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 晏长岭;杨静航;刘云;冯源;郝永芹;逢超 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024;H01S5/10;H01S5/40;H01S5/022 |
| 代理公司： | 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 | 代理人： | 王丹阳 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 非对称微盘腔边发射半导体激光器阵列叠阵属于半导体激光器技术领域。现有技术由多个线列叠加构成叠阵，光束整形、输出耦合等后续环节存在的技术难题更为突出。在本发明中，自热沉起由下而上若干阵列基片、微通道散热板交替叠放，最上方为阵列基片；阵列基片的数量为3～5个；阵列基片由衬底及在衬底上通过刻蚀制作的、以阵列方式排列的若干非对称微盘腔构成，所述阵列方式是指若干非对称微盘腔按相同几何中心距分别一字排列成前排激光器线列、后排激光器线列，所述各个非对称微盘腔出光方向相同且朝向前方，后排激光器线列中的非对称微盘腔出射光光轴与前排激光器线列中最接近的非对称微盘腔的几何中心相距二分之一几何中心距。 | ||
| 搜索关键词： | 对称 微盘腔边 发射 半导体激光器 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种非对称微盘腔边发射半导体激光器阵列叠阵，其特征在于，自热沉(1)起由下而上若干阵列基片(2)、微通道散热板(3)交替叠放，最上方为阵列基片(2)；微通道散热板(3)内部布设冷却液微通道；阵列基片(2)的数量为3～5个；阵列基片(2)由衬底(4)及在衬底(4)上通过刻蚀制作的、以阵列方式排列的若干非对称微盘腔(5)构成，所述阵列方式是指若干非对称微盘腔(5)按相同几何中心距分别一字排列成前排激光器线列、后排激光器线列，所述各个非对称微盘腔(5)出光方向相同且朝向前方，后排激光器线列中的非对称微盘腔(5)出射光光轴与前排激光器线列中最接近的非对称微盘腔(5)的几何中心相距二分之一几何中心距。
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