[发明专利]基于Si-IGBT和SiC-MOSFET混合开关的串联谐振型双有源桥变换器有效
| 申请号： | 201910323061.4 | 申请日： | 2019-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN110034685B | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 韦联永;李子欣;高范强;徐飞;赵聪;李耀华;王平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | H02M3/335 | 分类号： | H02M3/335;H02M1/38 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 关玲 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基于Si‑IGBT和SiC‑MOSFET混合开关的串联谐振型双有源桥变换器，由两个H桥、谐振电感、谐振电及变压器组成，两个H桥的开关器件为Si‑IGBT和SiC‑MOSFET并联组成的混合开关模块。通过对混合开关中Si‑IGBT和SiC‑MOSFET的开关时序进行优化，正常导通时Si‑IGBT流通大电流而SiC‑MOSFET通小电流，本发明的控制方法可提高变换器的效率、可靠性和灵活性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 si igbt sic mosfet 混合 开关 串联 谐振 有源 变换器 | ||
【主权项】：
1.一种基于Si‑IGBT和SiC‑MOSFET混合开关的串联谐振型双有源桥变换器，其特征在于：所述的串联谐振型双有源桥变换器装置由第一H桥、第二H桥、高频隔离变压器T、谐振电感Lr、谐振电容Cr及直流稳压电容C1、C2组成；所述串联谐振型双有源桥变换器采用Si‑IGBT和SiC‑MOSFET的混合开关模块作为H桥的开关器件，每个Si‑IGBT、SiC‑MOSFET均自带反并联二极管；第一H桥的直流端DC1、第二H桥的直流端DC2为所述变换器与外部电路连接的接口，第一H桥的直流端DC1和第二H桥直流端DC2分别与直流稳压电容C1和C2并联；谐振电感Lr由高频变压器的漏感和外接电感组成；谐振电容Cr和谐振电感Lr串联。
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