[发明专利]一种超强度微针阵列制造方法有效

专利信息
申请号: 201910323065.2 申请日: 2019-04-22
公开(公告)号: CN110015637B 公开(公告)日: 2021-11-12
发明(设计)人: 李以贵;王欢;张成功;王洁;蔡金东;金敏慧 申请(专利权)人: 苏州应汝电子科技有限公司
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00
代理公司: 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 代理人: 张丽
地址: 215000 江苏省苏州市*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种超强度微针阵列制造方法,包括以下操作步骤:S1:将PMMA微针阵列作为原始模具,利用移动X射线曝光并制作PMMA微针;S2:将S1制作得到的PMMA微针通过PDMS转模形成二次模具,在PDMS的基础上涂一层导电材料,从而制作PDMS模具的铬/铜种子层;S3:在S2的基础上进行镍/金刚石复合电镀;并且在镍/金刚石复合电镀的过程中加入坑抑制剂。通过上述方式,本发明所设计的镍/金刚石微针阵列具有无损伤,高强度,易操作的优势,金刚石针尖有助于使量子纳米传感变得更具成本效益和实用性,也可用于进行诸如电磁场、温度或应力的高灵敏度纳米级测量。国内这种超强度的微针阵列尚有欠缺,发展前景广阔。
搜索关键词: 一种 强度 阵列 制造 方法
【主权项】:
1.一种超强度微针阵列制造方法,其特征在于,包括以下操作步骤:S1:将PMMA微针阵列作为原始模具,利用移动X射线曝光并制作PMMA微针;S2:将S1制作得到的PMMA微针通过PDMS转模形成二次模具,并且在PDMS的基础上涂一层导电材料,所述的导电材料为铬/铜,并且将铬/铜在PMMA微针表面进行溅射,从而制作PMMA微针阵列铬/铜种子层;S3:在S2的基础上进行镍 /金刚石复合电镀;并且在镍 /金刚石复合电镀的过程中加入坑抑制剂。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州应汝电子科技有限公司,未经苏州应汝电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910323065.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top