[发明专利]一种碳化硅晶体及其制备方法有效
| 申请号： | 201910324913.1 | 申请日： | 2019-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN110129885B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 李加林;张红岩;窦文涛;宗艳民;李斌;高超;刘家朋;李长进;李宏刚;孙元行;刘鹏飞 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 济南千慧专利事务所(普通合伙企业) 37232 | 代理人： | 吴绍群 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种碳化硅晶体及其制备方法，属于晶体材料制备领域。该碳化硅晶体的制备方法包括：将坩埚主体内的原料升华后经包括至少一个螺旋隔板组件形成的螺旋气流通道气相传输至籽晶表面进行长晶，制得碳化硅晶体。本申请的碳化硅晶体的制备方法改变了传统PVT法制备碳化单晶的气相传输方式，由传统的垂直向上传输转换为螺旋向上传输，实现对晶体生长过程中大颗粒杂质的有效格挡，降低晶体中的缺陷密度，提高晶体质量；并且不会造成气相向上传输困难，无需过高生长温度，降低能耗；本申请可以对真空下的气相传输起到控制作用，真空下的单晶生长速率快、生长温度低，且气相可以有序向上传输，生长的晶体缺陷少，降本增效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅晶体的制备方法，其特征在于，包括：将坩埚主体内的原料升华后经包括至少一个螺旋隔板组件形成的螺旋气流通道气相传输至籽晶表面进行长晶，制得碳化硅晶体；所述长晶的步骤包括：第一长晶阶段：将包括坩埚主体、螺旋隔板组件和籽晶的坩埚组件静止，控制长晶条件将升华原料在第一温度和第一压力下长成稳定晶体生长界面；第二长晶阶段：降低压力至第二压力下，转动坩埚组件，其转动方向与至少一个螺旋隔板组件的螺旋方向相反，长晶结束后，即制得所述的碳化硅晶体。
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