[发明专利]一种单向静电纺丝三维拉曼增强基底及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201910325424.8 | 申请日： | 2019-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN109916880B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 张超;郁菁;姜守振;杨诚;潘杰;赵晓菲 | 申请（专利权）人： | 山东师范大学 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 张晓鹏 |
| 地址： | 250014 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明属于光学检测材料技术领域，本发明涉及一种单向静电纺丝三维拉曼增强基底及其制备方法和应用。由内到外依次为银纳米颗粒、PVA包覆层、银纳米颗粒，PVA包覆层内侧的银纳米颗粒的平均粒径为72nm，PVA包覆层外侧的银纳米颗粒的平均粒径为7nm。通过静电纺丝方法制备得到聚乙烯醇@银纳米颗粒纺丝基底，通过热蒸镀的方法沉积银纳米颗粒，得到聚乙烯醇@银纳米颗粒/银纳米颗粒拉曼增强基底。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单向 静电 纺丝 三维 增强 基底 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种单向静电纺丝三维拉曼增强基底，其特征在于：PVA包裹银纳米颗粒，并形成棒状纤维，棒状纤维的外表面负载银纳米颗粒，形成增强基底，棒状纤维外表面的银纳米颗粒平均粒径小于棒状纤维内银纳米颗粒的平均粒径；优选的，PVA包裹的银纳米颗粒的平均粒径为72nm；优选的，棒状纤维的外表面负载的银纳米颗粒的平均粒径为7nm。
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