[发明专利]MEMS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201910325569.8 | 申请日： | 2019-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN110054145B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 万蔡辛 | 申请（专利权）人： | 无锡韦感半导体有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新吴*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种MEMS器件及其制造方法，该制造方法包括：形成至少一个第一空腔，第一空腔自半导体衬底的指定表面延伸至半导体衬底中；形成第一牺牲层，第一空腔被第一牺牲层填满；形成具有第一通道孔的第一结构层，第一结构层覆盖第一牺牲层，每个第一空腔与相应的第一通道孔位置对应；以及经第一通道孔去除第一空腔中的第一牺牲层。该制造方法通过避免使用DRIE工艺、ICP工艺以及晶圆键合工艺形成空腔与结构层，从而降低了制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | mems 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS器件的制造方法，其特征在于，包括：形成至少一个第一空腔，所述第一空腔自半导体衬底的指定表面延伸至所述半导体衬底中；形成第一牺牲层，所述第一空腔被所述第一牺牲层填满；形成具有第一通道孔的第一结构层，所述第一结构层覆盖所述第一牺牲层，每个所述第一空腔与相应的所述第一通道孔的位置对应；以及经所述第一通道孔去除所述第一空腔中的所述第一牺牲层。
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