[发明专利]一种非晶硅薄膜的沉积方法及沉积设备在审
申请号: | 201910325601.2 | 申请日: | 2019-04-22 |
公开(公告)号: | CN111826632A | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 尹勇;王晓龙;陆鸣晔 | 申请(专利权)人: | 上海新微技术研发中心有限公司 |
主分类号: | C23C16/24 | 分类号: | C23C16/24;C23C16/02;C23C16/44 |
代理公司: | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人: | 刘元霞 |
地址: | 201800 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种非晶硅薄膜的沉积方法及沉积设备,其中沉积方法包括:在半导体晶圆片沉积前利用流体喷洗半导体晶圆片,所述流体的喷射压力大于预设压力值;检验喷洗处理后的半导体晶圆片的表面的颗粒,直到所述半导体晶圆片的表面的颗粒数量小于预设数量时,停止所述利用流体喷洗半导体晶圆片的操作;清洗CVD机台沉积腔体,并在所述沉积腔体中沉积预设厚度的非晶硅薄膜,进行覆盖保护;将半导体晶圆片通过CVD机台的传送机构,传入所述沉积腔体进行非晶硅薄膜沉积。本发明能解决薄膜脱膜的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 非晶硅 薄膜 沉积 方法 设备 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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