[发明专利]一种基于金刚石衬底的氮化镓器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201910326079.X | 申请日： | 2019-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN110164766B | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 任泽阳;张金风;吕丹丹;张进成;苏凯;张雅超;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778;H01L23/373 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 张捷 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于金刚石衬底的氮化镓器件及其制备方法。其中，基于金刚石衬底的氮化镓器件的制备方法包括步骤：在氮化镓材料层的第一面生长金刚石层；在所述氮化镓材料层的第二面生长AlN成核层；在所述AlN成核层上生长GaN缓冲层；在所述GaN缓冲层上生长AlGaN势垒层。该制备方法通过在氮化镓材料层的第一面直接生长金刚石层，避免引入介质层，消除了介质层材料热阻的影响，使得金刚石与氮化镓材料直接接触，从而使氮化镓器件直接利用热导率较高的金刚石进行散热，有效解决了氮化镓大功率器件的散热问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 金刚石 衬底 氮化 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于金刚石衬底的氮化镓器件的制备方法，其特征在于，包括步骤：在氮化镓材料层的第一面生长金刚石层；在所述氮化镓材料层的第二面生长AlN成核层；在所述AlN成核层上生长GaN缓冲层；在所述GaN缓冲层上生长AlGaN势垒层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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