[发明专利]半导体装置封装体及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201910327240.5 申请日: 2019-04-23
公开(公告)号: CN110660752A 公开(公告)日: 2020-01-07
发明(设计)人: 陈又维;郭立中;施应庆;卢思维;林俊成;李隆华;黄冠育 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/29;H01L21/56;H01L25/18
代理公司: 72003 隆天知识产权代理有限公司 代理人: 王宇航;黄艳
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种底胶结构及底胶结构的半导体装置的制造方法。半导体装置封装体包括一封装体,封装体包括一集成电路芯片;一中介层,经由多个芯片连接器接合至集成电路芯片;以及一封胶层,围绕集成电路芯片。半导体装置封装体还包括一封装基板,经由多个导电连接器接合至中介层;一第一底胶层,位于封装体与封装基板之间,第一底胶层具有第一热膨胀系数(CTE);以及一第二底胶层,围绕第一底胶层,第二底胶层具有小于第一热膨胀系数的第二热膨胀系数。
搜索关键词: 底胶层 集成电路芯片 热膨胀系数 封装体 半导体装置封装体 封装基板 接合 中介层 底胶 半导体装置 导电连接器 芯片连接器 封胶层 制造
【主权项】:
1.一种半导体装置封装体,包括:/n一封装体,包括:/n一集成电路芯片;/n一中介层,经由多个芯片连接器接合至该集成电路芯片;以及/n一封胶层,围绕该集成电路芯片;/n一封装基底,经由多个导电连接器接合至该中介层;/n一第一底胶层,位于该封装体与该封装基板之间,该第一底胶层具有一第一热膨胀系数;以及/n一第二底胶层,围绕该第一底胶层,该第二底胶层具有小于该第一热膨胀系数的一第二热膨胀系数。/n
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