[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201910327669.4 | 申请日： | 2019-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN111276408A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 施信益;林智清 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/48;H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人： | 席勇;董云海 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构的制造方法包括以下步骤。在导线之上形成介电层。在介电层之上形成图案化光阻层，其中图案化光阻层具有暴露介电层的开口。以图案化光阻层作为蚀刻遮罩蚀刻介电层，以在介电层中形成通孔孔洞。侧向扩展图案化光阻层的开口。在侧向扩展图案化光阻层的开口之后，以图案化光阻层作为蚀刻遮罩蚀刻介电层，以扩展通孔孔洞。在已扩展的通孔孔洞中形成导电通孔。通过使用上述的制造方法，可为随后的金属沉积工艺提供更多的空间，并可改善通孔密度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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