[发明专利]具有双向开关和放电电路的半导体器件在审
申请号: | 201910328003.0 | 申请日: | 2019-04-23 |
公开(公告)号: | CN110391224A | 公开(公告)日: | 2019-10-29 |
发明(设计)人: | M.伊马姆;H.金;K.K.梁;B.潘地亚;G.普雷赫特尔 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张凌苗;申屠伟进 |
地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 奥地利;AT |
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摘要: | 具有双向开关和放电电路的半导体器件。一种半导体器件包括主双向开关,其形成在半导体衬底上并具有第一和第二栅极,电连接到第一电压端的第一源极,电连接到第二电压端的第二源极,以及公共漏极。该半导体器件还包括放电电路,其具有与主双向开关单片集成的并以公共源极配置连接到半导体衬底的辅助双向开关或多个单独的晶体管。多个单独的晶体管或辅助双向开关包括连接到主双向开关的第一源极的第一漏极,连接到主双向开关的第二源极的第二漏极,第一和第二栅极,其中每个与栅极驱动电路解耦合,使得至少无源地并且基于主双向开关的状态控制第一和第二栅极。 | ||
搜索关键词: | 双向开关 半导体器件 源极 放电电路 电连接 晶体管 衬底 漏极 半导体 栅极驱动电路 单片集成 公共漏极 公共源极 状态控制 解耦合 配置 | ||
【主权项】:
1. 一种半导体器件,包括:主双向开关,其形成在半导体衬底上并且包括第一和第二栅极,电连接到第一电压端的第一源极,电连接到第二电压端的第二源极,以及公共漏极;以及放电电路,其包括与主双向开关单片集成的并且以公共源极配置连接到半导体衬底的辅助双向开关或多个单独的晶体管,多个单独的晶体管或辅助双向开关包括连接到主双向开关的第一源极的第一漏极,连接到主双向开关的第二源极的第二漏极,以及第一和第二栅极,第一和第二栅极中的每个与栅极驱动电路解耦合,使得至少无源地并且基于主双向开关的状态控制第一和第二栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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